HAMAMATSU滨松 S11142-10 硅光电二极管
受光面
14 x 14 mm
像元数
4
封装
陶瓷
入射电子能范围（典型值）
1 至 30 keV
电子倍增系数（典型值）
300
反向电压（*大值）
20 V
暗电流（*大值）
60000 pA
截止频率（典型值）
5 MHz
结电容（典型值）
200 pF
测量条件
Ta = 25°C，VR = 5V
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