HAMAMATSU滨松 S14536-500 硅光电二极管
受光面
48 × 48 mm
芯片厚度
500 ± 15 μm
非感光层厚度（正面）
1.5 μm
非感光层厚度（背面）
20 μm
满耗电压*大值
170 V
暗电流*大值
200 nA
截止频率
5 MHz
结电容
550 pF
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