HAMAMATSU滨松 S14536-320 硅光电二极管
受光面
48 × 48 mm
芯片厚度
320 ± 15 μm
非感光层厚度（正面）
1.5 μm
非感光层厚度（背面）
20 μm
满耗电压*大值
100 V
暗电流*大值
100 nA
截止频率
3 MHz
结电容
860 pF
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